开关电源正在向大功率、高频化方向发展，相应的功率管的开关损耗也增加了一个数量级，这就要求对开关电源传统的电路拓扑结构进行改进。针对功率MOSFET提出了一种新型的电路拓扑结构—移相全桥软开关谐振电路，并对该电路的工作原理做出了详细的分析，并从时域上详细分析了软开关的过程，分析了超前臂和滞后臂的谐振过程。通过分析得到该电路具有开关频率高，开关损耗和电磁干扰小，功率管的电压电流应力小，电源效率高。